光刻工藝
光刻的原理是在硅片表面覆蓋一層具有高度光敏感性光刻膠，再用光線（一般是紫外光、深紫外光、極紫外光）透過掩模照射在硅片表面，被光線照射到的光刻膠會發生反應。此后用特定溶劑洗去被照射/未被照射的光刻膠， 就實現了電路圖從掩模到硅片的轉移。光刻工藝對極小污染物的控制苛刻到極致，同時嚴控過濾產品的金屬離子析出。最強耐腐蝕全氟濾芯采用進口PTFE膜，進口PTFE支撐層，全氟骨架經過特殊結構設計而制成適用于光刻膠的終端過濾。